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#1 |
数量:96000 |
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| 规格书 |
 MUN5311DW1, NSBC114EPXxx |
| 文档 |
Wire Bond 01/Dec/2010 |
| 产品更改通知 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 电阻 - 基地（R1）（欧姆） | 10k |
| 电阻器 - 发射基地（R2）（欧姆） | 10k |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率转换 | - |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-563, SOT-666 |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 供应商封装形式 | SOT-563 |
| 标准包装名称 | SOT-563 |
| 最小直流电流增益 | 35@5mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 典型输入电阻 | 10 |
| 引脚数 | 6 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@0.3mA@10mA |
| 最大功率耗散 | 500 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| 配置 | Dual |
| 类型 | NPN|PNP |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 铅形状 | Flat |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| 电阻器 - 基（ R1 ） （欧姆） | 10k |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 供应商设备封装 | SOT-563 |
| 电阻器 - 发射极基（ R 2 ） （欧姆） | 10k |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 标准包装 | 8,000 |
| 封装/外壳 | SOT-563, SOT-666 |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 35 @ 5mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 产品种类 | Transistors Switching - Resistor Biased |
| 晶体管极性 | PNP |
| 典型输入电阻 | 10 KOhms |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 35 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 功率耗散 | 357 mW |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 宽度 | 1.2 mm |
| 直流电流增益hFE最大值 | 35 |
| 长度 | 1.6 mm |
| 系列 | NSBC114EPDXV6 |
| 身高 | 0.55 mm |
| Pd - Power Dissipation | 357 mW |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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